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Si8439DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.10
I D = 1.5 A
0.08
10
1
0.1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.06
0.04
0.02
0.00
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
0.8
0.7
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
8 0
60
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.6
40
0.5
I D = 250 μA
20
0.4
0.3
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10 ms
1
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
T A = 25 ° C
BVDSS Limited
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63839
S13-1703-Rev. B, 29-Jul-13
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